07年第2季度，Intel最新的P35系列主板推进DDR3内存进入市场，一方面继续增强其桌面平台高举高打新技术的业内形象，一方面也协助DRAM厂商转战到一个新的、利润较高的产品线内，毕竟成熟进入末期的DDR2 DRAM内存市场低价血战已经让这一行业利润微薄。然而这些都不是玩家们所关心的方向，对于一个典型的DIY高端用户而言，DDR3能够对DDR2形成真正的性能优势才是关键。

　　以第三方调研机构的预测看，DDR3替代DDR2内存的周期大致也将是DDR2当年更新DDR一样的三年。DDR3的核心优势可以简单归为两点：更高的频率和更低的功耗！对应的，这种新产品也将面临延迟上升的挑战。

DDR3可能将在2009年形成真正的主导之势

　　频率：作为内存频率上升之路的自然延续，DDR3在DDR2遭遇技术极限的时刻来临。和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。DDR3内存入门级产品比DDR2能达到的最高频率还高，并且理论上有后者最高频率2倍以上的上升空间。

　　功耗：DDR3 DRAM芯片内置温度感应器，支持更高级的功耗管理，比如根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，配合重置功能和1.5V的低操作电压让DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。在SO-DIMM内存模组上，DDR3-800仅是DDR2-800功耗的72%，即使内存功耗在系统功耗中所占比率不高，但这样的进步仍非常具有积极意义。

　　DDR3的其他明显的新增特点还包括点对点连接、重置功能、逻辑Bank数量、ZQ校准、分成两部分的参考电压、突发长度和封装等，以下的表格汇总了这些信息：

　　关于延迟：就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样，DDR的总体延迟比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在3～5之间，而DDR3则在6～10之间，附加延迟（AL）写入延迟（CWD）的部分也较DDR2劣化，具体状况在上表中有详细对比。毫无疑问，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，但DDR3能够用更高的频率实现频率和时序的一种性能提升均衡状态。

　　●  来自ADATA的标准型DDR3-1066模组

ADATA DDR3-1066 1GB*2

　　著名内存模组厂商威刚（ADATA）率先在去年就展出过DDR3内存模组，未雨绸缪的促进这次行业整体硬件换代浪潮。如今，这一组DDR3-1066速度、1GB容量的台式机内存模组已经摆在我们面前，ADATA是最先提供DDR3内存产品送测的厂商之一，抢占先机的产品素质如何？下文就为您揭晓。